半导体产线应用

集成电路自动8寸快速退火炉RTP

类别:半导体产线应用
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集成电路自动8寸快速退火炉RTP

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集成电路自动8寸快速退火炉RTP

产地:中国

型号:S801

 

简介(Description):

S801系列自动快速退火炉,内置Robot可以自动取放片,适用于最大8英寸(单片200mm*200mm)及以下尺寸硅片、第二代、第三代化合物材料等(包括但不限于,砷化镓,碳化硅,氮化镓等各类衬底和外延片),拥有出色的热源和结构设计,可以定制多腔体满足产线产能规划。独有专利的温度控制系统,能更为精准进行温控操作,可视化软件平台,也实时对温度进行监控并矫正,保证工艺的稳定性和重复性。双面加热方式与单面加热相比,可以大幅减小图案加载效应,晶片上的热的均匀性将更好。多路气体配置(可定制更多),配置真空腔体,整机通过Semi认证。设备国产化率达到90%,配件渠道丰富。

 


 

定义(Definition):

快速热处理(RTP)设备是一种单片热处理设备,可以将晶圆的温度快速升至工艺所需温度(200-1300℃),并且能够快速降温,升/降温度速率约20-250℃。RTP设备还具有其他优良的工艺性能,如极佳的热预算和更好的表面均匀性,尤其对大尺寸的晶圆片。多用于修复离子注入后的损伤,多腔体规格可以同时运行不同的工艺过程。

名词解释RTA:Rapid Thermal Annealing 快速热退火。

名词解释RTO:Rapid Thermal Oxidation 快速热氧化,主要用于生长薄绝缘层。

名词解释RTN:Rapid Thermal Nitridation 快速热氮化。

推荐适用场景:碳化硅氮化镓等化合物外延制造,IGBT、MOSFET功率器件研发制造,MEMS研发制造,LED芯片,miniLED,microLED等。

 


 

设备规格(Specifications):

1、全自动操作模式(腔体内配置进口主流Robot,与一线顶级自动化设备同规格产品,高效,稳定,故障率低);

2、Robot取放片(全程在腔内Robot传递wafer进行热处理,避免污染,自动化程度高,节省人工);

3、适应于 2英寸-8英寸 Wafer;(单腔体最大满足200mm*200mm材料进行加热处理);

4、冷却方式包括水冷和氮气吹扫;

5、MFC控制,3-5路制程气体;

6、SEMI认证(整体通过Semi认证,符合半导体行业国际要求)。

 


 

设备主要工艺应用(Application):

快速热处理(RTP),快速退火(RTA),快速热氧化(RTO),快速热氮化(RTN);

离子注入/接触退火;

高温退火;

高温扩散;

金属合金;

热氧化处理。

 


 

设备主要应用领域(Field):

化合物半导体(磷化铟、砷化镓、氮化物、碳化硅等);

多晶硅;

太阳能电池片;

MEMS等传感器;

二极管、MOSFET及IGBT等功率器件;

LED、CMOS等光电器件;

IC晶圆。