集成电路全自动8英寸快速退火炉RTP

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详细介绍:

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设备规格:

全自动操作模式,Robot、Aligner、Cooling、SMIFPort;

SEMI认证,支持 SECS/GEM;

适应于 6英寸-8英寸 Wafer;

退火温度范围 300℃-1250℃;

升温速率 ≦150℃/sec(裸片);

温度均匀性 ≦±0.5%;

冷却方式包括水冷和氮气吹扫;

MFC控制,3-5路制程气体。

 

应用领域:

快速热处理(RTP),快速退火(RTA),快速热氧化(RTO),快速热氮化(RTN);

离子注入/接触退火;

金属合金;

热氧化处理;

化合物合金(砷化镓、氮化物等);

多晶硅退火;

太阳能电池片退火;

高温退火;

高温扩散。

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