半导体产线应用

LH-RTA-C快速退火炉RTP

类别:半导体产线应用
0


快速退火炉RTP

image.png


LH-RTA-C快速退火炉RTP

产地:中国

型号:LH-RTA-C

 




 

简介(Description):

适用于4寸(100mm*100mm)及以下硅晶圆片,化合物等半导体材料进行快速热处理、退火等。外置WINDOWS 10系统计算机,无须额外学习PLC触摸操作,即可快速上手,亦方便读写数据,全中文软件实时显示热处理工艺曲线、气体流量、冷却水流量等各种数据;具有过温保护功能,温度超过设定值时系统停止加热。配置多路气体通路,可根据实际需求使用,扩展性强。可抽真空。独有专利的温度控制系统,可以多温区实时同步闭环PID控制,能进行±0.5℃的温控操作,以及更为可靠的重复性操作。双面加热方式与单面加热相比,可以大幅减小图案加载效应,晶片上的热均匀性将更好。

 




 

定义(Definition):

快速热处理(RTP)设备是一种单片热处理设备,可以将晶圆的温度快速升至工艺所需温度(200-1300℃),并且能够快速降温,升/降温度速率约20-250℃。RTP设备还具有其他优良的工艺性能,如极佳的热预算和更好的表面均匀性,尤其对大尺寸的晶圆片。多用于修复离子注入后的损伤,多腔体规格可以同时运行不同的工艺过程。

名词解释RTA:Rapid Thermal Annealing 快速热退火。

名词解释RTO:Rapid Thermal Oxidation 快速热氧化,主要用于生长薄绝缘层。

名词解释RTN:Rapid Thermal Nitridation 快速热氮化。

适用场景:集成电路实验平台,工厂批量生产等。

 




 

设备规格(Specifications):

1、适应于 2英寸-4英寸 晶圆或者支持 (100mmx100mm)样品(选配支架或者托盘,可放置最大边长100mm的正方形材料);

2、退火温度范围 300℃-1000℃(常规硅基材料温度适用于850℃,第三代半导体材料最大可到1350℃);

3、升温速率 ≦150℃/秒(升温速度随不同的材料及装置会有差异,标准数据是裸片放置内测量后得出,150摄氏度每秒是常规温度速率,加热设备的极限会更高);

4、温度均匀性 ≦±1%(>500 ℃)(在500摄氏度以上时,通过TC-WAFER测量实验材料的数据,均匀度一般都是保持在0.1%-1%之间);

5、常压腔体(可以配置真空腔体,独有的设计,能实现真空定压,配置分子泵后能达到更严格的真空度);

6、冷却方式包括水冷和氮气吹扫(循环常温水冷却,软件可视化监控管理,防止外壁过热,内置氮气管路,吹扫腔体,保持清洁,极速降温);

7、MFC控制,1-4路制程气体。(品牌MFC控制器,内置多路气氛管路,可定制开通,满足各类测试工艺需求)。

 




 

设备主要工艺应用(Application):

快速热处理(RTP),快速退火(RTA),快速热氧化(RTO),快速热氮化(RTN);

离子注入/接触退火;

高温退火;

高温扩散;

金属合金;

热氧化处理。

 




 

设备主要应用领域(Field):

化合物半导体(磷化铟、砷化镓、氮化物、碳化硅等);

多晶硅;

太阳能电池片;

MEMS等传感器;

二极管、MOSFET及IGBT等功率器件;

LED、CMOS等光电器件;

IC晶圆。


快速退火炉,RTA,RTP,合金炉,RTO,快速退火炉RTP,国产快速退火炉,自主研发,快速退火工艺,半导体设备,芯片退火设备,碳化硅退火,氮化镓退火,离子注入退火,晶圆快速退火,硅片快速退火,ast2800,mattson,allwin21,AG退火炉,jetfirst,unitemp,premtek,芯片退火炉,快速退火,台湾退火炉rtp,美国退火炉rtp,快速热处理设备rtp,离子注入后快速退火,mattson ast,ast2700,ast3000,ast2900,sic高温退火设备,屹唐退火炉,ultech rtp,ag8108,ag610,ag4100,amat rtp