实验室及定制化设备

桌上型4英寸快速退火炉RTP

类别:实验室及定制化设备
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桌上型4英寸快速退火炉RTP

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桌面型4寸快速退火炉RTP

产地:中国

型号:LH-RTA-C

 



特点:

整体极小的尺寸1.1mX0.8mX0.6m,可置于桌面上操作。适用于4寸(100mm*100mm)及以下硅晶圆片,化合物等半导体材料进行快速热处理、退火等。外置WINDOWS 10系统计算机,无须额外学习PLC触摸操作,即可快速上手,亦方便读写数据,全中文软件实时显示热处理工艺曲线、气体流量、冷却水流量等各种数据;具有过温保护功能,温度超过设定值时系统停止加热。配置多路气体通路,可根据实际需求使用,扩展性强。可抽真空。独有专利的温度控制系统,可以多温区实时同步闭环PID控制,能进行±0.5℃的温控操作,以及更为可靠的重复性操作。双面加热方式与单面加热相比,可以大幅减小图案加载效应。器件晶片上的热均匀性将更好。

 



用途:

快速热处理(RTP)设备是一种单片热处理设备,可以将晶圆的温度快速升至工艺所需温度(200-1300℃),并且能够快速降温,升/降温度速率约20-250℃。RTP设备还具有其他优良的工艺性能,如极佳的热预算和更好的表面均匀性,尤其对大尺寸的晶圆片。多用于修复离子注入后的损伤,多腔体规格可以同时运行不同的工艺过程。

名词解释RTA:Rapid Thermal Annealing 快速热退火。

名词解释RTO:Rapid Thermal Oxidation 快速热氧化,主要用于生长薄绝缘层。

名词解释RTN:Rapid Thermal Nitridation 快速热氮化。

适用场景:高校实验室,科研院所实验平台,工厂小批量生产等。

 



设备规格:

1.适应于 2英寸-4英寸 晶圆或者支持 (100mmx100mm)样品(选配支架或者托盘,可放置最大边长100mm的正方形材料);

2.退火温度范围 300-1000℃(常规硅基材料温度适用于850℃,第三代半导体材料最大可到1350℃);

3.升温速率 150/秒(升温速度随不同的材料及装置会有差异,标准数据是裸片放置内测量后得出,150摄氏度每秒是常规温度速率,加热设备的极限会更高);

4.温度均匀性 ≦±1%(>500 )(在500摄氏度以上时,通过TC-WAFER测量实验材料的数据,均匀度一般都是保持在0.1%-1%之间);

5.常压腔体(可以配置真空腔体,独有的设计,能实现真空定压,配置分子泵后能达到更严格的真空度);

6.冷却方式包括水冷和氮气吹扫(循环常温水冷却,软件可视化监控管理,防止外壁过热,内置氮气管路,吹扫腔体,保持清洁,极速降温);

7.MFC控制,1-4路制程气体。(品牌MFC控制器,内置多路气氛管路,可定制开通,满足各类测试工艺需求)。

 



应用领域:

快速热处理(RTP),快速退火(RTA),快速热氧化(RTO),快速热氮化(RTN);

离子注入/接触退火;

金属合金;

热氧化处理;

化合物合金(砷化镓、氮化物等);

多晶硅退火;

太阳能电池片退火;

高温退火;

高温扩散。