LH-RTA-D快速退火炉RTP
产地：中国
型号：LH-RTA-D
简介（Description）：
D系列半自动快速退火炉，软件控制取放片，适用于最大8英寸（200mm*200mm）及以下尺寸硅片、第二代、第三代化合物材料等（包括但不限于，磷化铟，砷化镓，碳化硅，氮化镓等各类衬底和外延片），拥有出色的热源和结构设计。独有专利的温度控制系统，能更为精准进行温控操作，可视化软件平台，实时对腔室温度进行监控并矫正，保证工艺的稳定性和重复性。双面加热方式与单面加热相比，可以大幅减小图案加载效应，晶片上热的均匀性将更好。1-5路气体配置（可定制），可抽真空腔体。设备国产化率达到95%以上，配件渠道丰富。
定义（Definition）：
快速热处理（RTP）设备是一种单片热处理设备，可以将晶圆的温度快速升至工艺所需温度（200-1300℃），并且能够快速降温，升/降温度速率约20-250℃。RTP设备还具有其他优良的工艺性能，如极佳的热预算和更好的表面均匀性，尤其对大尺寸的晶圆片。多用于修复离子注入后的损伤，多腔体规格可以同时运行不同的工艺过程。
名词解释RTA：Rapid Thermal Annealing 快速热退火。
名词解释RTO：Rapid Thermal Oxidation 快速热氧化，主要用于生长薄绝缘层。
名词解释RTN：Rapid Thermal Nitridation 快速热氮化。
推荐适用场景：碳化硅氮化镓等化合物外延制造，IGBT、MOSFET功率器件研发制造，MEMS研发制造,LED芯片，miniLED，microLED等。
设备规格（Specifications）：
1、最大8英寸 Wafer（单腔体最大满足200mm*200mm材料进行加热处理）；
2、冷却方式包括水冷和氮气吹扫（循环常温水冷却，软件可视化监控管理，防止外壁过热，内置氮气管路，吹扫腔体，保持清洁，极速降温）；
3、MFC控制，1-5路制程气体。（品牌MFC控制器，内置多路气氛管路，可定制开通，满足各类测试工艺需求）；
4、退火温度范围 300℃-1000℃（常规硅基材料温度适用于850℃，第三代半导体材料最大可到1350℃）；
5、升温速率 ≦150℃/秒（升温速度随不同的材料及装置会有差异，标准数据是裸片放置内测量后得出，150摄氏度每秒是常规温度速率，加热设备的极限会更高）；
6、Windows操作系统；（高性能工业电脑，搭载windows操作系统，larcomse专属软件操作，上手简单，系统功能强大，各类数据可视化程度高，内容丰富，亦可定制软件模块）；
7、配置真空系统（有定压功能，满足常规真空要求，使用分子泵能达到更高的真空度，能定制真空度）；
8、多只红外卤素光源（根据需求可配置数量不等的灯管，以满足工艺加热要求）。
设备主要工艺应用（Application）：
●快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；
●离子注入/接触退火；
●高温退火；
●高温扩散;
●金属合金；
●热氧化处理。
设备主要应用领域（Field）：
●化合物半导体（磷化铟、砷化镓、氮化物、碳化硅等）；
●多晶硅；
●太阳能电池片；
●MEMS等传感器；
●二极管、MOSFET及IGBT等功率器件；
●LED、CMOS等光电器件；
●IC晶圆。
