TSSG 法生长 SiC 晶体的技术优势

与PVT法不同的是，TSSG法生长SiC晶体过程中固-液界面附近具有更低的生长温度和更小的温度梯度，有助于弱化晶体内部应力并提高临界剪切应力值。同时，溶液法长晶过程中所释放的结晶潜热比气相法中释放的结晶潜热更低，可增强界面附近生长环境的稳定性。上述特点促使TSSG法在制备SiC晶体中表现出多方面的技术优势。1. 零微管和低位错密度微管是限制SiC材料应用的主要障碍之一，被称为杀手型缺陷，其存在

2024-04-09 LH 236

半导体专题篇：半导体设备

文章大纲 晶圆制造设备封装设备测试设备晶圆制造设备、封装设备和测试设备是半导体设备产业中的重要组成部分，下面将对这三种半导体设备进行详细介绍。1. 晶圆制造设备1.1 晶圆制造设备的种类晶圆制造设备是半导体生产过程中最重要的设备之一，主要分为前道工艺设备和后道工艺设备两类。前道工艺设备是半导体制造过程中的重要设备，主要用于晶圆制造环节。以下是前道工艺设备的详细介绍：（1）薄膜沉积设备：薄膜沉积设备

2024-03-27 lh 894

第三代半导体技术发展趋势（简报）

题记：本报告为第三代半导体技术趋势简报，主要从本领域的技术角度出发，观察技术的热点和趋势，以及在第三代半导体器件中发挥的作用。特别是以GaN和SiC为代表的第三代半导体材料，其大的禁带宽度、高击穿场强和高电子饱和漂移速率等优良材料特性，可以满足现代电力电子系统对高功率密度、高频、高效性能的持续需求，在国民经济和人民生活中有着丰富的应用场景。一、第三代半导体发展历程1.第三代半导体介绍及历程第一代半

2024-03-27 lh 897

东南亚半导体IDM、晶圆代工设厂情况

东南亚聚集了多家IDM、晶圆代工和封测企业，这里共收集了主要企业在东南亚6国的设厂情况：据不完全统计，其中，全球前十大IDM企业中有7家在东南亚设有制造工厂，总数量在25座左右，全球前十大封测企业中也有7家设厂，总数量约11座。东南亚全部电子元器件产能预计占到全球的20%，其中CPU、非易失性存储器和阻容制造占比高出该数值，典型代表是表中所列的英特尔、西数/希捷和三星/村田/太诱。马来西亚：东南

2024-03-26 104

第三代半导体---碳化硅

2023-12-27 121

GaN-On-SiC的未来

要说GaN有多火，如果你是手机制造商，不推出一款GaN快充可能会被嘲笑落伍。而在射频领域，GaN更被认为是高功率和高性能应用场景的未来。在SiC衬底上生长出的GaN呢？优秀基因的强强结合能否成就未来的王者？“高规格”市场的枷锁 GaN-On-SiC（碳化硅基氮化镓）结合了SiC优异的导热性和GaN高功率高频

2023-11-25 95

铜互联，还是无法替代？

近日，英特尔在2022 IEEE VLSI 技术和电路研讨会上，展示了许多涉及其Intel 4（10nm）工艺的论文。其中一点就是，新的intel 4选用了铜互连连接。早前英特尔原本打算在10nm芯片互连中采用钴（Co）这种新材料，但是众所周知，英特尔在10nm工艺经历了挫败，业界认为，与钴的集成问题可能是英特尔10nm延迟问题的部分原因。过去我们往往只关心晶体管的大小，但是现在随着芯片微缩逐渐来

2024-03-26 68

起底新加坡半导体

据日前消息透露，晶圆代工巨头台积电正考虑在新加坡建立一家芯片制造厂。据悉，此次初步谈判的是一家大型12英寸晶

2024-03-26 量伙z 40