产地：中国
型号：LH-RTA-C
特点：
整体极小的尺寸1.1mX0.8mX0.6m，可置于桌面上操作。适用于4寸（100mm*100mm）及以下硅晶圆片，化合物等半导体材料进行快速热处理、退火等。外置WINDOWS 10系统计算机，无须额外学习PLC触摸操作，即可快速上手，亦方便读写数据，全中文软件实时显示热处理工艺曲线、气体流量、冷却水流量等各种数据；具有过温保护功能，温度超过设定值时系统停止加热。配置多路气体通路，可根据实际需求使用，扩展性强。可抽真空。独有专利的温度控制系统，可以多温区实时同步闭环PID控制，能进行±0.5℃的温控操作，以及更为可靠的重复性操作。双面加热方式与单面加热相比，可以大幅减小图案加载效应。器件晶片上的热均匀性将更好。
用途：
快速热处理（RTP）设备是一种单片热处理设备，可以将晶圆的温度快速升至工艺所需温度（200-1300℃），并且能够快速降温，升/降温度速率约20-250℃。RTP设备还具有其他优良的工艺性能，如极佳的热预算和更好的表面均匀性，多用于修复离子注入后的损伤。
名词解释RTA：Rapid Thermal Annealing 快速热退火。
名词解释RTO：Rapid Thermal Oxidation 快速热氧化，主要用于生长薄绝缘层。
名词解释RTN：Rapid Thermal Nitridation 快速热氮化。
适用场景：高校实验室，科研院所实验平台，工厂小批量生产等。
设备规格：
1.适应于 最大4英寸 晶圆或者支持 (100mmx100mm)样品（选配支架或者托盘）；
2.退火温度范围 300℃-1000℃（常规硅基材料温度适用于850℃，第三代半导体材料最大可到1350℃）；
3.升温速率 ≦150℃/秒（升温速度随不同的材料及装置会有差异，标准数据是裸片放置内测量后得出，150摄氏度每秒是常规温度速率，加热设备的极限会更高）；
4.温度均匀性 ≦±1%(>500 ℃)（在500摄氏度以上时，通过TC-WAFER测量实验材料的数据，均匀度一般都是保持在0.1%-1%之间）；
5.常压腔体（可以配置真空腔体，独有的设计，能实现真空定压，配置分子泵后能达到更严格的真空度）；
6.冷却方式包括水冷和氮气吹扫（循环常温水冷却，软件可视化监控管理，防止外壁过热，内置氮气管路，吹扫腔体，保持清洁，极速降温）；
7.MFC控制，1-4路制程气体。（品牌MFC控制器，内置多路气氛管路，可定制开通，满足各类测试工艺需求）。
应用领域:
快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；
离子注入/接触退火；
金属合金；
热氧化处理；
化合物合金（砷化镓、氮化物等）；
多晶硅退火；
太阳能电池片退火；
高温退火；
高温扩散。
