半导体设备研发主管
岗位描述:
1、负责毫秒级快速升温算法、PID参数整定、激光光束整形与匀化、热场仿真(ThermalFEM)及温度测量(DualWavelengthPyrometry)方案设计
2、负责高精度对准系统(OpticalAlignment)、键合力控系统(ForceControl)、温度场分布优化及解键合分离机理研究
3、主导整机架构设计,平衡热/力/流/光多物理场耦合问题;解决大尺寸晶圆(300mm)的翘曲(Warpage)与应力控制难题
4、在设计阶段引入DFM/DFA,简化腔体内部结构,降低装配难度,提升设备平均无故障时间(MTBF)并缩短平均修复时间(MTTR)
5、工艺验证与客户导入:带领团队在DemoRoom或客户端进行工艺验证(PV),对标国际竞品(如AppliedMaterials,Kokusai,EVG,SUSS),优化工艺配方(Recipe)
6、团队与IP建设:组建机械、热学、光学、软件跨学科团队;构建核心专利池,规避SEMI标准侵权风险
岗位要求:
1、学历:硕士及以上,物理、光学工程、机械工程、材料科学相关专业(博士优先)
2、经验:5年以上半导体前道设备研发经验,必须具备RTP/激光退火/晶圆键合任一领域的深度项目经验
3、硬技能:
1)精通半导体热工艺原理(激活、退火、合金化、熔接)
2)熟悉精密运动控制(纳米级定位)或激光光学系统(波长、能量密度、光路设计)
3)熟练使用仿真工具(Ansys/Fluent/Comsol/Zemax)进行辅助设计
4、软技能:具备强烈的结果导向意识,能与晶圆厂(Fab)工艺工程师进行深度技术对话,理解客户的痛点(如DoseLoss,DefectDensity)