IGBT激光退火设备
产地：中国
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简介（Description）：
IGBT激光退火设备，是专为半导体晶圆退火而设计，采用高能激光束进行精确处理。退火，这一热处理工艺，在半导体器件生产中扮演着至关重要的角色。离子注入工艺虽能实现硅晶圆中的特定掺杂，但杂质离子对硅原子的晶格损伤却不可避免。为了修复这些损伤并激活杂质离子的电活性，加热处理成为不可或缺的环节，这就是退火的本质所在。
激光退火设备通过将特定形状、能量均匀的激光束斑投射到晶圆上，借助运动台实现晶圆的精准扫描。晶圆吸收激光能量后，局部迅速升温至高温状态，进而促使杂质原子在晶格中扩散并占据适当位置，实现激活目的，快速冷却使得晶格原子重新排列，完成整片晶圆的退火加工。
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设备规格（ Specifications）：
1、支持6&12 inch，标准片&薄片&键合片&翘曲片；
2、双臂伯努利机械手；
3、双绿光固化激光器，波长527nm，（红光808nm选配）；
4、能量密度≥5J/cm²；
5、激活率≥90%；
6、退火均匀性＜2%（3σ）；
7、产率：≥14pcs/h@8 inch，≥7pcs/h@12 inch。
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