内存市场步入“超级周期”，AI推动价格全面飙升

当前半导体行业正处在AI驱动的新需求浪潮与地缘政治引发的供应链风险并存的复杂局面，内存和先进制程（如HBM）受益于AI增长，而汽车等传统行业则因功率芯片的供应危机面临巨大不确定性。

多家机构分析指出，全球内存市场在人工智能需求的强劲驱动下，正进入一个可持续数年的“超级周期”。

摩根士丹利预测，到2027年，全球内存市场规模有望突破3000亿美元。德邦证券强调，与此前由消费电子驱动的周期不同，本轮周期由AI计算基础设施需求主导，预计可持续性更强。

在“库存为王”的背景下，上游原厂控制出货并持续涨价。美光已通知渠道商内存产品涨价20%-30%；三星预计第四季度DRAM涨价15%-30%，NAND涨价5%-10%。行业人士称，四大内存品类全面缺货的情况“前所未有”。

美光科技高管预警，到2026年DRAM供应将面临“极端紧张”。由于AI服务器对高带宽内存（HBM）的需求激增（其消耗的晶圆量是标准DRAM的三倍），即使投入新产能，供应压力仍将巨大。

三星电子将其12层HBM3E产品价格下调约30%（至约200美元），显著低于SK海力士的同类产品（约300美元）。

海力士HBM4芯片面临外包生产带来的高成本，以及来自英伟达的定价压力，为应对竞争并实现其50万亿韩元的盈利目标，其必须持续优化技术和成本。

集邦咨询（TrendForce）调查显示，2025年下半年晶圆代工产能利用率超出预期，需求来源于AI、智能手机销售旺季以及IC厂商的低库存水平。AI服务器周边IC的订单挤占了部分消费电子产能。

部分代工厂计划在2026年上调服务价格，尤其是在BCD、功率器件等产能紧张的工艺平台。这标志着成熟工艺的激烈价格竞争暂告一段落，但2026年消费电子需求疲软等风险仍需警惕。

荷兰对安世半导体的干预，引发了全球功率半导体市场的震荡，并对欧美汽车制造业构成严重威胁。安世半导体是全球领先的功率半导体IDM厂商，其小信号二极管、晶体管等多项产品出货量全球第一，汽车级功率MOSFET位居全球第二。其东莞工厂产能占公司总产能的80%。

供应链消息称，二极管、MOSFET等关键元器件库存紧张，汽车级产品交期已延长至12周以上。预计第四季度价格将普遍上涨5%-15%，高端产品涨幅可能超20%。

欧洲汽车制造商协会（ACEA）警告，现有芯片库存仅能维持数周，若不迅速解决，欧洲汽车生产将面临“严重中断”。美国汽车创新联盟也敦促尽快解决，否则将对全球汽车业产生溢出效应。