SiC碳化硅激光退火设备
产地：中国
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简介（Description）：
碳化硅(SiC)材料的宽禁带、高热导率、高饱和电子漂移速度、高击穿电场等特性决定了其在高温、大功率领域的巨大潜力。为了使SiC材料的性能能够得到充分发挥，目前需解决的一个关键问题是欧姆接触的制备。
传统制备SiC晶圆欧姆接触的方法是在衬底表面沉积金属电极层后进行高温热退火。但是，传统的高温热退火工艺在减薄衬底中存在着很多不足，如:退火范围不可控、衬底与沉积金属间容易发生侵蚀、影响界面形貌和物质分布均匀性等问题。因此，行业中需要一种退火局域化及退火深度可控的新型退火方案。
量伙的SiC晶圆激光退火设备，通过利用高均一性激光整形系统，对重掺杂SiC晶圆表面沉积的过渡金属进行退火，制备良好均一的欧姆接触，是制备高性能SiC晶圆工艺制程的重要一环。激光退火技术局域化和深度可控的优秀特性，适用于SiC减薄晶圆的退火处理，有效地克服传统高温热退火工艺的痛难点。同时，其微/纳秒量级的退火升温速度，极高地保证了SiC晶圆金属-半导体界面C,Si,Ni三种元素的均匀分布，获得比传统高温热退火工艺更加稳定、均匀的欧姆接触。
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设备规格（ Specifications）：
1、支持6&8inch，标准片&薄片&键合片&翘曲片；
2、双臂伯努利机械手；
3、紫外固化激光器，波长351nm，能量密度≥10J/cm²；
4、密封腔体，氮气&抽排，建立时间＜28s@100ppm；
5、比接触电阻率~10^-5 Ω·cm²；
6、退火均匀性小于2%（3σ）；
7、产率：≥8pcs/h@6 inch，≥5pcs/h@8 inch。
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